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3.石墨烯在金属基底的生长3.1石墨烯生长机制研究不同金属衬底有着不同的熔点、领域溶碳量和催化活性等特性，领域显著影响着石墨烯的生长条件和生长机制，从而导致石墨烯质量和均匀性的差异。图16.松香无损转移石墨烯：信访不同有机分子在石墨烯表面的吸附能相对地，无胶转移的方法可以有效地减少石墨烯转移过程中引入的污染物。

突出AB堆垛双层石墨烯能带是类抛物线结构。近5年来，问题在国际及双边重要学术会议上做邀请报告40余次，筹划和组织国际和双边会议6次。由于减小碳源气体分压会导致石墨烯的生长速度减小，专项治理甚至生长中途停止，无法得到连续的石墨烯薄膜。

部署图15.基底刻蚀法转移石墨烯及表面污染高聚物辅助转移是最早被采用转移石墨烯的方法。在Cu表面生长单层石墨烯的过程主要包括（碳源前驱体以甲烷为例：举行(1)CH4在Cu表面的吸附与催化分解形成活性C碎片(CHx,x=0-3)(2)活性C碎片的表面迁移(3)活性C碎片形成稳定石墨烯核(4)石墨烯核的长大，举行进而畴区拼接成连续薄膜。

全省c.多晶石墨烯薄膜的结构表征。

领域本文的第一作者是林立博士。信访任文才课题组等[6]发展了以Pt作为生长衬底制备出畴区尺寸均一可调的单层多晶石墨烯薄膜。

突出2009年6月到北京大学工作至今。曾获中国分析测试协会科学技术一等奖（2005年，问题第二完成人），问题入选教育部新世纪优秀人才支持计划（2011年），获批国家首批优秀青年基金（2012年）、中组部首批青年拔尖人才计划（2012年）、霍英东教育基金会青年教师基金（2014年）、国家青年973项目首席科学家（2014年）、国家杰出青年科学基金（2015年）、SmallYoungInnovatorAward（2017年）。

专项治理这也是权威综述期刊ChemicalReviews首次刊登CVD石墨烯的综述文章。1993年获首批国家教委跨世纪优秀人才基金资助，部署1994年获首批基金委杰出青年科学基金资助，部署1999年受聘首批长江学者奖励计划特聘教授，2004年当选英国物理学会会士，2011年当选中国科学院院士，2013年首批入选中组部万人计划杰出人才，2014年当选英国皇家化学会会士，2015年当选发展中国家科学院院士，2016年当选中国微米纳米技术学会会士，2017年中组部授牌成立万人计划科学家工作室（2017.3）。